測定サービス

ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社では1995年の創業以来、日本国内において数多くのサンプルを測定してまいりました。

弊社にはお客様の材料の特性を正確に解析するために、J.A.Woollam社の最高レベルの分光エリプソメーターと経験豊かな技術者がおります。お客様のサンプルを測定し、有益な測定結果をご提供いたします。分光エリプソメトリーの技術評価および機種選定に関わるサンプル測定は、基本的に無料で行なわせていただきます。

また、装置導入のご予算が取れないお客様に向けて、導入までのつなぎとして有償サンプル測定サービスを行っております。
弊社は常に分光エリプソメトリーの新しい分野への応用に取り組み、すでに数百種類にも及ぶサンプルの測定依頼を受けております。これらの経験は弊社の基礎となっていると考えております。

複雑なサンプルなどでご不明な点がございましたらお気軽に弊社までお問い合わせ下さい。

薄膜サンプル測定サービス

薄膜試料の膜厚及び光学定数の測定
バルク試料の光学定数の測定

測定条件

波長範囲
193nm-2500nmまたは2-30umまでの任意の範囲が選択できます。
集光測定
通常の平行光による測定は、約3×8mmの楕円の領域を測定します。装置に集光レンズを取り付けて測定領域を約0.3×0.8mmにすることができます。
面内の膜厚分布測定
サンプルの面内分布を測定できます。測定点数、測定箇所はご相談ください。対応サイズ：φ300mmまたは300mm角以内
透過強度データ
各測定に透過データを組み合わせて解析します。

基板

基板材料は、光学定数が既知の物質が最適です。（「Handbook of Optical Constants of Solids」E.D.Palik、 Ed.等の文献に載っている物質）
一般的には、「Si」「GaAs」等の基板、または「石英ガラス」「BK7」等の透明基板が用いられます。未知の基板または仮想基板（多層構造の基板を仮想的に基板とみなすとき）の場合は、基板のみを御提供いただければ、測定いたします。

多層構造のサンプル

各層において単層構造の試料のご提供をお願いいたします。それらを測定し、予め各層のnkを決定します。
その後、求められた各層のnkを用いて多層サンプルの評価を行います。
注）以下の場合は、この限りではありません。

1.　SiO2 など文献値と同じと思われる層
2.　AlGaAs など臨界点シフトアルゴリズムで表される層

測定例

バルクガラスおよび半導体基板

広い波長範囲にわたって光学定数 ( n、k ) が評価できます

薄い誘電体の表面層

自然酸化膜、または表面粗さ

金属膜

多層膜

分光エリプソメーターが得意とする分野です

有機膜

Langmuir-Blodgett膜異方性膜

Rth測定

弊社分光エリプソメーターと解析ソフトウエアでは、Rth評価が膜厚と平均屈折率の事前情報が無くても可能です。

リソグラフィー分野

フォトレジスト ARC ( 反射防止膜 ) 、有機膜、無機膜

透明導電酸化物 ( TCO )

インジウムスズ酸化膜 ITO ZnO SnO2

フラットパネルディスプレイ

化合物半導体

単層・多層膜の膜厚と共に様々な物質の混晶比を求めます。

こちらのお問い合わせフォーム「測定サービス」よりお気軽にお問い合わせください。
※ このサービスは、日本国内限定のサービスとさせていただきます