フォトレジスト
リソグラフィーのすべての露光波長(157nm, 193nm, 248nm...)の屈折率(nとk)と薄膜の膜厚を 測定します。

|
| ステッパー用光学部品のコーティング |
リソグラフィー露光装置で使用されている光学
素子はコーティングによって性能を高めている ため、コーティング膜の屈折率と膜厚がその性能を決定します。
右図は様々なフッ化物の屈折率が示されて います。 フッ化材料はVUV領域まで透明なため、157nmの リソグラフィーにおける重要な候補材料です。 VUV-VASEは露光波長で吸収がないかどうか 材料の品質を確認するために、透過強度測定を することもできます。 また、光照射によって受けたダメージを研究する ためにも使用されています。
|
|
|
複屈折性材料の測定
エリプソメトリーは複屈折材料の方位と複屈折性を測定することができます。 左図は厚さ20mmのCaF光学素子の リターダンス測定結果を示しています。強力なソフトウェアがこの測定を可能にしました。
|
|
反射防止膜の測定
レジストは反射防止膜に関して、下層からの反射を抑制するために使用されています。 底面の反射防止膜がフォトレジストから伝播した光を吸収して、反射する光を最小にします。
ARコーティングの屈折率は、界面からの反射を 抑制するためのフォトレジストに合っていなくては なりません。
この用途により、適切な材料が選択されます。
反射防止の性能は、屈折率と厚みによって強い影響を受けます。
エリプソメトリーは、両方の値を測定して、異なったプロセス状態で変化を追うことができます。
右図は様々な ' x ' でのSiONの値を示して います。
|
|
|
反射/透過測定
透過測定では、小さな値の増減が非常に重要になる場合があります。VUV-VASEではどんな角度でも簡単に透過測定ができる、垂直な試料マウントを使用します。
また、10°から90°のどの角度でも反射測定を取得
することができます。
(左図)VUV-VASEによって測定された、コーティング された光学素子の偏光透過強度および偏光反射強度を表しています。 |
異方性測定
複合材料やナノ構造を持つような材料は、高度な 評価方法が必要とされます。
VUV-VASEは反射と透過のエリプソメトリー両方の測定ができます。
六方晶系の炭化ケイ素の誘電関数は異方性を 示します。
右のグラフはVUV-VASEと共に測定された六方晶系の炭化ケイ素の常光および異常光特性が両方示されています。
VUV領域における大きな相違に着目してください。

|
|