T-Solar^TM エリプソメーターは、テクスチャー構造を
もつサンプルの測定に適した装置です。
すでに確立された装置である回転補償子型分光
エリプソメーター（M-2000）に基づき、T-Solarは
紫外から可視光、近赤外までの範囲の数百波長
での測定が可能です。

表面が粗く、テクスチャー構造をもつサンプルは、
反射光の強度が非常に小さいため、T-Solarは
そのようなサンプルに対する性能を向上すべく、
高出力の光源と新しいIntensity-Optimizer*
（測定光強度最適化装置）を組み込みました。

T-SolarはエッチングされたSi基板表面上の反射
防止コーティング膜を測定・解析するのに高い性能
を示しています。
さらに傾きと回転を調整するステージが備わって
います。このステージはアルカリエッチングされた
多結晶基板のピラミッド構造をもつ表面にあわせて
サンプルを調整するのに大変便利です。^-1

太陽電池関連の 　　　　　　アプリケーション: テクスチャー構造のある単結晶 あるいは多結晶の基板 反射防止コーティング 　 （SiNx, 　AlNx...） 透明導電性酸化物    – ITO 　 – ZnOx    – doped SnO2  　– AZO アモルファスシリコン（a-Si）、 　 微結晶シリコン（μc-Si,）、 　 多結晶シリコン（poly-Si） CdTe, CdS, CIGS 有機系太陽電池 色素増感薄膜	Intensity-Optimizer（測定光強度最適化装置）により、どのような サンプルに対しても簡単な操作で適切な強度の信号で測定することが 可能になりました。 たとえば反射光の強度がまったく異なる金属・ガラス・テクスチャー構造 の各サンプルを測定することができます。
T-Solarのサンプルステージは、 ピラミッド型のテクスチャー構造を測定するのに最適です。 サンプルの傾きと回転角を変えることで、エリプソメーターのプロープ光に対してのピラミッド型のファセットの 傾きを調整できます。

* 特許出願中
^-1 J. Sun et al., “Characterizing AntiRefl ection Coatings on textured Mono-Crystalline Silicon
with Spectroscopic Ellipsometry”, submitted to IEEE 34th PVSC Proc., 2009.