エリプソメトリーは、 半導体産業において、たくさんの薄膜の解析に使用
されています。以下はその例です。

 VUV-VASE^®

最も強力な研究用エリプソメーターです。 146nmから1700nmまでのスペクトル範囲であらゆる材料を研究できます。 短波長領域では、極薄膜への感度が増加します。

測定能力:

• エリプソメトリックデータ ( 反射、及び、透過)

• 透過強度 ( 偏光、無偏光 )

• 反射強度 ( 偏光、無偏光 )

• 偏光解消率

• 異方性データ ( s‐からp‐、及び、p‐からs‐への量 )

• ミューラー行列

• スキャッタメトリー

• リターダンス（位相の遅れ）

VASE^®

M-2000^®

alpha-SE^TM

IR-VASE^®

赤外領域のエリプソメーターです。

• 半導体のドーピングプロファイル、非破壊で抵抗力を測れます

• エピタキシャル層の厚さ

• 酸化物、及び、窒化物の薄膜において窒素、酸素、水素、及び、水の量を研究できます

• 化合物半導体のフォノン吸収を研究できます