Home    製品紹介    新着案内    セールス\サポート    測定サービス    技術資料    会社案内     問合せ

 
用途紹介

Chemistry

Communications

Data Storage

Display

In-Situ

Lithography

Optical Coatings

R & D

Semiconductor
 

 

研究・開発用途の分光エリプソメトリー

エリプソメトリーは、様々な物質の光学特性の解析に利用されています。  誘電体、半導体、金属、有機膜、及び多層構造等。エリプソメトリーは主に、膜厚や光学定数を正確に 測定することが一般的です。しかしながら他にも物質の光応答の影響による研究されるべき物質特性が 測定出来ます。

 

 VUV-VASE®


最新の研究開発用エリプソメーターです。146nmから1700nmまで波長範囲においてあらゆる材料を調べることができます。短波長は薄膜への感度を増幅します。

測定能力:

  • エリプソメトリーデータ ( 反射、及び、透過 )

  • 透過強度 ( 偏光、無偏光 )

  • 反射強度 ( 偏光、無偏光 )

  • 偏光解消率

  • 異方性のデータ ( s‐からp‐へ、及び、p‐からs‐への変化量 )

  • ミューラー行列

  • スキャッタメトリー

  • 位相遅延

   

VASE®

193nmから2200nmまでの波長範囲において測定できる研究用エリプソメーター。上記の測定は全てVASE®で行うことができます。 そして測定できる内容は、VASE®と同じです。
   

IR-VASE®

赤外域エリプソメーターです

  • 正確な 赤外域の光学定数

  • 半導体のドーピングプロファイル、及び、非破壊で抵抗率が測れます

  • 有機と無機の薄膜の分子の結合吸収が学べます

  • 薄膜における構成要素の成分量を研究できます

  • 化合物半導体へのフォノン吸収が研究できます

   

M-2000®

広い波長範囲における非常に速いデータ取得。均一性のマッピング測定、in-situアプリケーションに最適です。
 

J.A. Woollam Home | 製品紹介 | 新着案内 | セールス&サポート
測定サービス | 技術資料 | サイトマップ | 会社案内 | お問い合せ

 
ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社
東京都杉並区荻窪5-22-9藤ビル2F
Telephone (03) 3220-5871
FAX(03) 3220-5876
E-mail:
info@jawjapan.com
     
©2005  J. A. Woollam Co., Inc.  All Rights Reserved.