|
M-2000®
M-2000®高速分光エリプソメーターは、最新の光学構成を持ち、広い波長範囲と高速測定が出来るようになりました。これらの機能によりM-2000®は
In-Situプロセスモニタリング、や品質コントロールまた、
面内分布測定等の理想的な装置といえます。全ての分光スペクトルデータはほんの数秒で測定されます。 |
 |
|
|
300mm X-Yマッピングステージ付の
自動入射角M-2000®
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M-2000の各モデル
|
|
|
|
J.A.ウーラム社のエリプソメーターM-2000シリーズは、ほとんど全ての産業分野で使用できる柔軟性があります。以下が現在用意されているM-2000モデルです。画像をクリックすると詳細な画像が得られます。 |
|
|
|
|
|
|
M-2000U
モデル「U」（Ultraviolet）は、誘電体やポリマー、半導体、金属などの測定でIn-Situや Ex-Situどちらの測定でも可能な様々な用途に適しています。測定波長は245nmから1000nmで半導体の臨界点をカバーし、化合物半導体の混晶比を測定したり制御することが出来ます。
470波長を同時に測定するので広い膜厚の範囲（ｻﾌﾞnmから10ﾐｸﾛﾝ程度）を解析出来ます。 |
|
ヒートステージ（昇温ステージ）を付けたM-2000U |
|
|
|
|
M-2000V
モデル「V」(Visible)は装置とその維持費用を抑える為QTHランプを使用しています。光学系もよりコンパクトになっており、
In-situ 測定でチャンバーに搭載する際にも便利です。測定波長範囲(370nmから1000nm)は誘電体やアモルファス半導体、ポリマーなどの測定に最適です。 |
|
固定入射角台座のM-2000V |
|
|
|
|
M-2000D
モデル「D」は、193nmから1000nmをカバーしながら500波長を測定します。これは半導体の用途に最適です。それぞれのリソグラフィーの波長（193nm,248nm,365nm）での光学定数を測定出来ます。広い波長レンジを高速で測定できる為、屈折率や膜厚の面内分布測定が可能です。短波長測定は極薄膜の感度を増加させ、長波長測定はほとんどの材料の膜厚測定に必要な透明領域を確保できます。 |
|
サンプル垂直置ベースのM-2000D |
|
|
|
近赤外域（NIR）拡張
M-2000Fを除く全てのM-2000モデルは、1000nmから1700nmまでの220波長の測定波長の拡張が出来ます。近赤外域は導電性の酸化物、可視域を吸収する材料、厚膜や光通信分野の材料に最適です。 |
|
|
|
|
M-2000F (集光ビーム)
集光ビームのM-2000Fは、微小な点の測定が出来ます。測定領域が大変小さい場合のアプリケーションに最適な装置です。例えばパターン付きのウエハー、ハードディスクの
スライダーヘッド, 曲面や球面レンズなどの適用分野があります。
|
|
集光ビームのM-2000F
製品動画-1.6MB
Windows Media Format |
|
|
|
M-2000® エリプソメーターオプション |
 |
近赤外（NIR）拡張：
「V」「U」「D」モデルの測定波長に1000nmから1700nmまでの220波長を追加できます。 |
|
|
サンプル ヒート ステージ
温度範囲は室温から300度まで。サンプル垂直置と水平置エリプソメーターどちらにも使える昇温ステージ。 |
|
|
利用可能なベース:
1. 固定入射角 (75度), サンプル水平置
2. 手動多入射角 (45度から90度), サンプル水平置
3. 自動多入射角 (45度から90度), サンプル水平置または垂直置 |
|
|
In-Situ パッケージ:
チャンバー用ウインドウ、傾斜ステージ、M-2000®を2.75インチの真空フランジに取付けるためのハード一式 |
|
|
自動サンプルステージ:
100mm × 100mm XY ( サンプル水平置のみ )
200mm Rq (水平サンプルステージのみ )
300mm Rq (水平サンプルステージのみ )
大きな領域の面内分布測定は
FP M-2000 または MASE をご覧下さい。 |
|
|
手動サンプルステージ::
25mm × 25mm XY (サンプル水平置のみ)
50mm × 50mm XY (サンプル水平置のみ) |
|
|
集光ビーム:
モデル「V」「VI」：全波長で150ミクロンの集光径
モデル「U」「D」「UI」「DI」：全波長で300ミクロンの集光径
**
M-2000Fでは50ミクロン以下の微小スポットが可能です。
|
|
|
|
