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エピタキシャル層、ドーピング濃度とドーピングプロファイル
赤外域の波長では、フリーキャリアの密度の違いによってエピタキシャル層もしくは注入層と、その下の基板との間に光学的なコントラストを見出すことができます。
このことにより、IR-VASEにエピタキシャル層の膜厚と基板のドーピング濃度へ、非常にすぐれた感度を提供することができます。
また、界面でのキャリアの密度勾配に対しても優れた感度を持っています。非破壊測定のIR-VASE測定と破壊測定であるSIMSや拡がり抵抗顕微鏡での観測を比較しても、キャリアプロファイルが非常にきれいに一致していることがわかります。(下図)

フォノン構造(化合物半導体)
IR-VASEの広い波長範囲は化合物半導体や結晶性固体のフォノン吸収の研究においてとても重要と いえます。
下図のデータはGaN / AlGaNレーザー構造のフォノンモードを示しています。
混晶比とドーピング濃度、そして膜質を決定するためのモデルを使用しています。

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