|
VASE の波長範囲が、新しい拡張赤外域ディテクター(XNIR)オプションで広くなりました。新しい拡張赤外域ディテクター(XNIR) は2.2μmまでの測定のために拡張された
InGaAs detector と一体になっています。近赤外に拡張された波長範囲で VASE は新しい分野のサンプルを測定解析できます。例えば、通常の近赤外では吸収があっても、もっと長波長側では透明になって吸収がなくなるかもしれないような、低バンドギャップの半導体です。図1
は InP 基板上の InGaAs 膜のデータです。弊社の1700nmまでの標準 NIR デイテクター (黄色い範囲) は 膜厚まで特定できる
InGaAs のバンドギャップ以下の透明領域に届きません。新しい拡張赤外域ディテクター(XNIR)は 2200nmまでを測定します。; InGaAs
層の膜厚と光学定数の両方を特定できます。 (図2).
VASE と拡張赤外域ディテクター (XNIR)についての詳細はお問い合わせください。
図 １. 新しい拡張赤外域ディテクター(XNIR)をつけた VASE で取得した InGaAs/InP のエリプソメトリックデータ
図 ２. 新しい拡張赤外域ディテクター(XNIR)で測定解析して得られたInGaAs の光学定数
|
