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リソグラフィー分野の論文

分光エリプソメトリーは、リソグラフィーで使用される薄膜を解析する一般的な技術です。この応用技術は、フォトレジストの計測、反射コーティング、フォトマスク、ペリクル、ステッパー用の光学コーティングなどです。以下は、これらの応用に関する論文です。
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Lithography Applications 

Spectroscopic Ellipsometry (SE) for materials characterization at 193 and 157 nm

Authors: J. N. Hilfiker, F. G. Celii, W. D. Kim, E. A. Joseph, C. Gross, T. Y. Tsui, R. B. Willecke, J. L. Large, and D. A. Miller

Semiconductor Fabtech 17 (2002) 87-91.

Employing Spectroscopic Ellipsometry for Lithography Applications

Authors: J. N. Hilfiker and R. A. Synowicki

Semiconductor Fabtech, 5 (1996) 189-194.

Optical characterization in the vacuum ultraviolet with Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry: 157 nm and below

Author: J. N. Hilfiker, B. Singh, R. A. Synowicki, and C. Bungay

Proc. SPIE, 3998 (2000) 390-398.

Fluoropolymers for 157 nm Lithography: Optical Properties from VUV Absorbance and Ellipsometry Measurements

Authors: R. H. French, R. Wheland, D. J. Jones, J. N. Hilfiker, R. Synowicki, R. Zumsteg, J. Feldman, A. Feiring

Proc. SPIE, 4000 (2000) 1491-1502.

Refractive Index Measurements of Photoresist and Antireflective Coatings with Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry

Authors: R. A. Synowicki, J. N. Hilfiker, R. R. Dammel, and C. L. Henderson

Proc. SPIE, 3332 (1998) 384-390.
Dependence of Optical Constants of AZｮ Barli・Bottom Coating on Bake Conditions Authors:  R. R. Dammel, J. Sagan, and R. A. Synowicki Proc. SPIE, 3049 (1997) 963-973.
Induced Changes in the Dispersion Curves of DNQ Photoresists Authors:  C. L. Henderson, C. G. Willson, R. R. Dammel, and R. A. Synowicki Proc. SPIE, 3049 (1997) 585-595.

Optical Analysis of Complex Multilayer Structures Using Multiple Data Types

Authors:  B. Johs, R. H. French, F. D. Kalk, W. A. McGahan, and J. A. Woollam

Proc. SPIE, 2253 (1994) 1098-1106.
   

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