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赤外域エリプソメトリーに関する論文

以下の参照内容は、赤外域(IR)エリプソメトリーの応用技術に関する論文です。赤外域のエリプソメトリーの一般的な利用方法は、フリーキャリア、分子振動やフォノン吸収です。  
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IR Ellipsometry

Optical phonon modes and interband transitions in cubic AlxGa1-xN films

Authors: A. Kasic, M. Schubert, T. Frey, U. Kohler, D. J. As, and C. M. Herzinger

Phys. Rev. B, 65 (2002) 184302/1-13.

Mechanical, geometrical, and electrical characterization of silicon membranes for open stencil masks

Authors: E. B. Franke, C. L. Trimble, J. S. Hale, M. Schubert, and J. A. Woollam

J. Vac. Sci. Technol. B, 19 (2001) 2665-2670.

All-solid-state electrochromic reflectance device for emittance modulation in the far-infrared spectral region

Author: T. Wagner, J. N. Hilfiker, T. E. Tiwald, C. Bungay, S. Zollner

Appl. Phys. Lett., 77 (2000) 1-4.

Free-carrier and phonon properties of n- and p-type hexagonal GaN films measured by infrared ellipsometry

Authors: A. Kasic, M. Schubert, S. Einfeldt, D. Hommel, and T. E. Tiwald

Phys. Rev. B, 62 (2000) 7365-7377.

Carrier concentration and lattice absorption in bulk and epitaxial silicon carbide determined using infrared ellipsometry

Authors: T. E. Tiwald, J. A. Woollam, S. Zollner, J. Christiansen, R. B. Gregory, T. Wetteroth, S. R. Wilson, and A. R. Powell

Phys. Rev. B, 60 (1999) 11464-11474.

Determination of the mid-IR optical constants of water and lubricants using IR ellipsometry combined with an ATR cell

Authors: T. E. Tiwald, D. W. Thompson, J. A. Woollam, and S. V. Pepper

Thin Solid Films, 313-314 (1998) 718-721.

Application of IR variable angle spectroscopic ellipsometry to the determination of free carrier concentration depth profiles

Authors: T. E. Tiwald, D. W. Thompson, J. A. Woollam, W. Paulson, and R. Hance

Thin Solid Films, 313-314 (1998) 661-666.

Optical determination of shallow carrier profiles using Fourier transform infrared ellipsometry

Authors: T. E. Tiwald, D. W. Thompson, and J. A. Woollam

J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 312-315.

Measurement of Silicon Doping Profiles using Infrared Ellipsometry Combined with Anodic Oxidation Sectioning

Authors: T. E. Tiwald, A. D. Miller, and J. A. Woollam

Proc. AIP - Characterization and Metrology for ULSI Technology, CP449 (1998) 221-225.

Optical investigations of mixed-phase boron nitride thin films by infrared spectroscopic ellipsometry

Authors: M. Schubert, E. Franke, H. Neumann, T. E. Tiwald, D. W. Thompson, J. A. Woollam, and J. Hahn

Thin Solid Films, 313-314 (1998) 692-696.
 

 

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Further IR ellipsometry sources include:

A. Reler, Infrared Spectroscopic Ellipsometry, Berlin: Akademie-Verlag, (1990).

D. Tsankov, K. Hinrichs, E. H. Korte, R. Dietel, and A. Reler., "Infrared Ellipsometry of Langmuir-Blodgett Films on Gold. Toward Interpreting the Molecular Orientation", Langmuir 18 (2002) 6559-6564.

T. Schram and H. Terryn, "The Use of Infrared Spectroscopic Ellipsometry for the Thickness Determination and Molecular Characterization of Thin Films on Aluminum", J. Electrochem. Soc., 148, 2 (2001) F12-F20.

A. Kasic, M. Schubert, J. Off, and F. Scholz, "Strain and composition dependence of the E1(TO) mode in hexagonal Al1-xInxN thin films", Appl. Phys. Lett., 78 (2001) 1526-1528.

M. Schubert, A. Kasic, S. Einfeldt, D. Hommel, U. Kohler, D. J. As, J. Off, B. Kuhn, F. Scholz, and J. A. Woollam, "Infrared Ellipsometry ・a Novel Tool for Characterization of Group-III Nitride Heterostructures for Optoelectronic Device Applications", Phys. Stat. Sol. (b) 228 (2001) 437-440.

A. Kasic, M. Schubert, B. Rheinländer, V. Riede, S. Einfeldt, D. Hommel, B. Kuhn, J. Off, and F. Scholz, "Effective carrier mass and mobility versus carrier concentration in p- and n-type a-GaN determined by infrared ellipsometry and Hall resistivity measurements", Materials Science and Engineering B 82 (2001) 74-76.

G. Leibiger, V. Gottschalch, A. Kasic, and M. Schubert, "Phonon modes of GaNyP1-y (0.006≤y≤0.0285) measured by midinfrared spectroscopic ellipsometry", Appl. Phys. Lett., 79 (2001) 3407-3409.

M. Schubert, A. Kasic, J. Sik, S. Einfeldt, D. Hommel, V. Härle, J. Off, and F. Scholz, "Phonons and free carriers in strained hexagonal GaN/AlGaN superlattices measured by infrared ellipsometry and Raman spectroscopy", Materials Science and Engineering B 82 (2001) 178-181.

E. Garcia-Caurel, B. Drévillon, A. De Martino, and L. Schwartz, "Application of Fourier transform infrared ellipsometry to assess the concentration of biological molecules", Appl. Opt. 41 (2002) 7339-7345.

B. Drévillon, "Spectroscopic ellipsometry in the infrared range", Thin Solid Films, 313-314 (1998) 625-630.

赤外域エリプソメトリーに関する内容は、 異方性物質や、 ポリマー、 物質解析でも紹介されていますので、ご参照下さい。

 

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