Home    製品紹介    新着案内    セールス\サポート    測定サービス    技術資料    会社案内     問合せ

 
製品紹介

alpha-SE

VASE

VUV-VASE

IR-VASE

M-2000

FP-M2000

MASE
 

 

 
In-situエリプソメトリーに関する論文 

In-situエリプソメトリーは、複雑なプロセスをリアルタイムでモニタリングしたり、制御するときに利用されます。以下は、In-situエリプソメトリーの様々な応用です。
資料をご希望の方は、下記にお名前、会社又は所属機関、電話番号、ファックス番号、住所、電子メールアドレスをご記入のうえ、お問い合わせ下さい。追って資料を送付させて頂きます。

WEB フォーム:

  *    
  *
  *
  *
  *
  *
  *
  *

*送信ボタンは、ページ下にございます*

 

In Situ Ellipsometry

Recent Developments in Spectroscopic Ellipsometry for in situ Applications

Authors: B. Johs et al.

SPIE Proc. 4449 (2001) 41-57.

In Situ Ellipsometry in Microelectronics

Authors: E. A. Irene and J. A. Woollam

MRS Bulletin, 20 (1995) 24-28.

Optical monitoring of Thin-films using Spectroscopic Ellipsometry

Author: D. E. Morton, B. Johs, and J. Hale

SVC 45th Annual Tech. Conf. Proc. (2002) 299-305.

Etch depth control in bulk GaAs using patterning and real time spectroscopic ellipsometry

Authors: S. J. Cho, P. G. Snyder, C. M. Herzinger, and B. Johs

J. Vac. Sci. Technol. B, 20 (2002) 197-202.

Closed-loop control of resonant tunneling diode barrier thickness using in situ spectroscopic ellipsometry

Authors: J. A. Roth, W. S. Williamson, D. H. Chow, G. L. Olson, and B. Johs

J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000) 1439-1442.

Real-time monitoring and control of epitaxial semiconductor growth in a production environment by in situ spectroscopic ellipsometry

Authors:  B. Johs, C. Herzinger, J. H. Dinan, A. Cornfeld, J. D. Benson, D. Doctor, G. Olson, I. Ferguson, M. Pelczynski, P. Chow, C. H. Kuo, and S. Johnson

Thin Solid Films, 313-314 (1998) 490-495.

Development of a parametric optical constant model for Hg1-xCdxTe for control of composition by spectroscopic ellipsometry during MBE growth

Authors: B. Johs, C. M. Herzinger, J. H. Dinan, A. Cornfeld, and J. D. Benson

Thin Solid Films, 313-314 (1998) 137-142

Real-time monitoring and control during MBE growth of GaAs/AlGaAs Bragg reflectors using multi-wavelength ellipsometry

Authors: B. Johs, C. Herzinger, P. He, S. Pittal, J. Woollam, and T. Wagner

Mat. Sci. and Eng. B, 44 (1997) 134-138.

In Situ Multi-Wavelength Ellipsometric Control of Thickness and Composition for Bragg Reflector Structures

Authors: C. Herzinger, B. Johs, P. Chow, D. Reich, G. Carpenter, D. Croswell, and J. Van Hove

MRS Symp. Proc., 406 (1996) 347-352.

Studies of Metallic Multilayer Structures, Optical Properties, and Oxidation using in situ Spectroscopic Ellipsometry

Authors: X. Gao, J. S. Hale, S. Heckens, and J. A. Woollam

J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (1998) 429-435.

In situ and ex situ optical characterization of electro deposited magneto-optic materials

Authors: J. N. Hilfiker, D. W. Glenn, S. Heckens, J. A. Woollam, and K. W. Wierman

J. Appl. Phys., 79 (1996) 6193-6195.
 

 

ジェー・エー・ウーラム社を何でお知りになりましたか?

ジェー・エー・ウーラム社の製品を使っている
ご紹介 ご紹介者
雑誌広告 雑誌名
サーチエンジン キーワードは？
他のサイトのリンクから サイト名
展示会 展示会の名称
その他 具体的にお書き下さい。

* 印は、入力必須項目です。
Further in situ ellipsometry sources include:
A. Amassian, S. Larouche, J. E. Klemberg-Sapieha, P. Desjardins, and L. Martinu, "In situ ellipsometric study of the Initial Growth Stages of a-TiO2 by PECVD", SVC 45th Annual Tech. Conf. Proc. (2002) 250- 255.

S. Larouche, A. Amassian, S. C. Gujrathi, J. E. Klemberg-Sapieha, and L. Martinu, "Multilayer and Inhomogeneous Optical Filters Fabricated by PECVD Using Titanium Dioxide and Silicon Dioxide", SVC 44th Annual Tech. Conf. Proc. (2001) 277-281.

J. Phillips, D. Edwall, D. Lee, and J. Arias, "Growth of HgCdTe for long-wavelength infrared detectors using automated control from spectroscopic ellipsometry measurements", J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 1580-1584.

R. D. Rajavel et al., "Status of HgCdTe-MBE technology for producing dual-band infrared detectors", J. Crystal Growth 214/215 (2000) 1100-1105.

 

J.A. Woollam Home | 製品紹介 | 新着案内 | セールス&サポート
測定サービス | 技術資料 | サイトマップ | 会社案内 | お問い合せ
 
ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社
東京都杉並区荻窪5-22-9藤ビル2F
Telephone (03) 3220-5871
FAX(03) 3220-5876
E-mail: info@jawjapan.com

©2005  J. A. Woollam Co., Inc.  All Rights Reserved.