クイックアンサー: エリプソメトリーは、薄膜や表面または 物質の微細構造を解析する為に 偏光 した光 を用いる大変感度の良い測定技術です。 これは反射した 偏光ビームの相対的な位相の 変化を測定することでその感度が得られます。
さらなる説明: 下の図1はエリプソメトリーの基本的な原理を示したものです。 まず入射する光の 偏光状態 は既知です。 この入射光は試料と相互作用し反射してきます。 この相互作用が光の 偏光状態を変化させ直線偏光から楕円偏光になります。 この 偏光状態 の変化は試料からの反射光を解析することで測定出来ます。 偏光状態の変化は偏光の形の変化となります。
図1: エリプソメトリーの測定図
エリプソメトリーは、PsiとDeltaという 偏光 の変化を表す２つの値を測定します。 これらの値は、ｐ偏光とｓ偏光のそれぞれの反射を表す フレネルの反射係数, RpとRsに関係しています。 以下の式を参照してください。
エリプソメトリーは２つの値の比を測定するために 高精度で再現性の良い測定が出来ます。この比は「位相」の情報をつかさどるDeltaを含む複素数であり、 これにより高感度の測定が出来ます。
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